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孤挺花(Hippeastrum vittatum)又称朱顶红、百枝莲。石蒜科,孤挺花属。花枝亭亭玉立,花冠硕大,艳丽悦目,是常见的球根花卉,既可配植于庭园,又是极好的切花材料。 (一)形态特征及种类 多年生草本,有肥大的球状鳞茎。叶数片呈带状,与花茎同时或花后抽出,花茎中空,粗壮而直立,顶生伞形花序,有花2~4朵,漏斗状,花被裂片6枚,有白、红、*、紫等色。同属观赏植物还有: 1.美丽孤挺花(H.aulicu。)冬季开花,花深红或橙色,原产巴西。 2.短筒孤挺花(H.reginae)春季开花,花红或白色,原产南美。 3.纹孤挺花(H.reticulatum)春季开花,花粉红和鲜红色,原产巴西。 4.杂种孤挺花(HX hybridum)是现代栽培的园艺品种之总称,有各种各样的色系,世界各地广为栽培。 (二)生态习性 原产秘鲁,世界各地广泛栽培。喜温暖,适温18C~25C。冬季休眠期要求冷凉干燥,适温 5 C~10C。喜阳光,但光线不宜过强。喜湿润,但畏涝。要求富含有机质的沙质壤土。生长期间需要肥料多。为促使鳞茎肥大,要常施追肥,秋末要控制氮肥,增施磷、钾肥,以促进球根肥大,防止徒长。 (三)繁殖方法 用分球、播种、切鳞块和组织培养繁殖。分球,是将大球周围着生的小鳞茎剥下另行栽种。播种者,采种后应立即播种,约1周后发芽,发芽率高,苗期可移植1次。地栽3~4年开花。为提高结实率,开花时应进行人工授粉。切鳞块繁殖是,将一个大鳞茎球切成8~16株,或更多一些,每块基部需带有部分鳞茎盘,晾至萎蔫后插入湿润沙中,就能生出小鳞茎球,经分离栽培后可以成苗。组织繁殖是,用Ms或white培养基,用花梗、子房作外植体材料,经培养,在切口处可产生愈伤组织。l个月后可形成不定根,3~4个月后可形成不定芽。用带等片的花梗和带茎的鳞片作外植体材料,也可产生不定芽、子球茎。 (四)栽培技术 孤挺花的栽培有暖地的露地栽培、温室盆栽和促成栽培、半促成栽培。 1.露地栽培 在最低温度不低于一10 C的地区,冬天盖以覆盖物,也可越冬。栽培方法是,在2~3月间,将去年收藏的大鳞茎进行整理,把主球四周的小鳞茎剥下进行繁殖。将主球的残根修掉,晒两天,待伤口干燥后即可栽种。栽培地要求地势高燥,排水良好,否则应作成高畦深沟,以预防涝害。株行距15X30厘米,先开沟,然后按叶的伸长方向排球,覆土时,要使球的顶部露出土面。栽植后最好用塑料膜覆盖,以提高地温,加速发根,在生长期,要随着叶片的生长,不断增施肥料,每半月施1次。采作切花的,要在花蕾含苞待放时,连花梗基部拔出。采花之后继续供水供肥,但要减施氮肥,增施磷、钾肥,使鳞茎健壮充实。秋后应停肥、停水,使其逐步休眠。挖球要选晴天,在土干时挖起,剪去叶片,除去泥土,略加干燥后贮藏。也可剪去叶片后,带土放温室内休眠,室温保持 5C~10 C,室内要保持干燥,空气流通,以防止球根腐烂,对不开花的小球,在霜冻期应盖以覆盖物防寒。 2.盆栽 选用田间生长3年,能开花的大球(直径在7厘米以上)盆栽,可一盆栽一球,也可一大盆栽3~4个球。盆土要选用排水良好、富含腐殖质的培养土,并加一些骨粉或过磷酸钙作基肥。种前,先剥下球边的子球。要浅植,使球的1/3至1/2居于土面上。上盆后浇水1次,使土略微湿润即可。待发出新叶后再浇水。每半月施液肥1次。在秋季叶片增厚老熟时,可停止浇水,剪去叶片,贮藏暖处使之休眠。待2~3月间,萌芽后,再予以翻盆或更换盆土。 3.促成栽培 于秋季先将鳞茎挖出,置于 5 C的低温下,休眠 40~50天,然后再置于 20 C~25 C的条件下栽培,于 1~2月间即能抽茎开花。 利用大棚等设施进行的半促成栽培,能使切花上市提前至3~4月间。
Qualcomm Technologies, Inc.副总裁Cormac Conroy博士表示:恩智浦的NFC和eSE芯片集使Qualcomm Technologies的平台功能得到了自然延伸,借助恩智浦的专业技术可实现安全交易。Qualcomm Technologies致力于提供业界领先的芯片技术,不仅推动当前最新设备的发展,还能促进实现未来的创新应用,同时缩小芯片尺寸。
我国铟市场的逐渐金融化是铟价的持续上行的主要原因。 中国有色金属工业协会铟铋锗分会副秘书长裴立双告诉。
这一切,或许就是它的底气所在。但是,对于一个自营式的卖场而言,其庞大的体系注定了灵活性远不及小商小贩。