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孤挺花（Hippeastrum vittatum）又称朱顶红、百枝莲。石蒜科，孤挺花属。花枝亭亭玉立，花冠硕大，艳丽悦目，是常见的球根花卉，既可配植于庭园，又是极好的切花材料。 （一）形态特征及种类 多年生草本，有肥大的球状鳞茎。叶数片呈带状，与花茎同时或花后抽出，花茎中空，粗壮而直立，顶生伞形花序，有花2～4朵，漏斗状，花被裂片6枚，有白、红、*、紫等色。同属观赏植物还有： 1．美丽孤挺花（H．aulicu。）冬季开花，花深红或橙色，原产巴西。 2．短筒孤挺花（H．reginae）春季开花，花红或白色，原产南美。 3．纹孤挺花（H．reticulatum）春季开花，花粉红和鲜红色，原产巴西。 4．杂种孤挺花（HX hybridum）是现代栽培的园艺品种之总称，有各种各样的色系，世界各地广为栽培。 （二）生态习性 原产秘鲁，世界各地广泛栽培。喜温暖，适温18C～25C。冬季休眠期要求冷凉干燥，适温 5 C～10C。喜阳光，但光线不宜过强。喜湿润，但畏涝。要求富含有机质的沙质壤土。生长期间需要肥料多。为促使鳞茎肥大，要常施追肥，秋末要控制氮肥，增施磷、钾肥，以促进球根肥大，防止徒长。 （三）繁殖方法 用分球、播种、切鳞块和组织培养繁殖。分球，是将大球周围着生的小鳞茎剥下另行栽种。播种者，采种后应立即播种，约1周后发芽，发芽率高，苗期可移植1次。地栽3～4年开花。为提高结实率，开花时应进行人工授粉。切鳞块繁殖是，将一个大鳞茎球切成8～16株，或更多一些，每块基部需带有部分鳞茎盘，晾至萎蔫后插入湿润沙中，就能生出小鳞茎球，经分离栽培后可以成苗。组织繁殖是，用Ms或white培养基，用花梗、子房作外植体材料，经培养，在切口处可产生愈伤组织。l个月后可形成不定根，3～4个月后可形成不定芽。用带等片的花梗和带茎的鳞片作外植体材料，也可产生不定芽、子球茎。 （四）栽培技术 孤挺花的栽培有暖地的露地栽培、温室盆栽和促成栽培、半促成栽培。 1．露地栽培 在最低温度不低于一10 C的地区，冬天盖以覆盖物，也可越冬。栽培方法是，在2～3月间，将去年收藏的大鳞茎进行整理，把主球四周的小鳞茎剥下进行繁殖。将主球的残根修掉，晒两天，待伤口干燥后即可栽种。栽培地要求地势高燥，排水良好，否则应作成高畦深沟，以预防涝害。株行距15X30厘米，先开沟，然后按叶的伸长方向排球，覆土时，要使球的顶部露出土面。栽植后最好用塑料膜覆盖，以提高地温，加速发根，在生长期，要随着叶片的生长，不断增施肥料，每半月施1次。采作切花的，要在花蕾含苞待放时，连花梗基部拔出。采花之后继续供水供肥，但要减施氮肥，增施磷、钾肥，使鳞茎健壮充实。秋后应停肥、停水，使其逐步休眠。挖球要选晴天，在土干时挖起，剪去叶片，除去泥土，略加干燥后贮藏。也可剪去叶片后，带土放温室内休眠，室温保持 5C～10 C，室内要保持干燥，空气流通，以防止球根腐烂，对不开花的小球，在霜冻期应盖以覆盖物防寒。 2．盆栽 选用田间生长3年，能开花的大球（直径在7厘米以上）盆栽，可一盆栽一球，也可一大盆栽3～4个球。盆土要选用排水良好、富含腐殖质的培养土，并加一些骨粉或过磷酸钙作基肥。种前，先剥下球边的子球。要浅植，使球的1／3至1／2居于土面上。上盆后浇水1次，使土略微湿润即可。待发出新叶后再浇水。每半月施液肥1次。在秋季叶片增厚老熟时，可停止浇水，剪去叶片，贮藏暖处使之休眠。待2～3月间，萌芽后，再予以翻盆或更换盆土。 3．促成栽培 于秋季先将鳞茎挖出，置于 5 C的低温下，休眠 40～50天，然后再置于 20 C～25 C的条件下栽培，于 1～2月间即能抽茎开花。 利用大棚等设施进行的半促成栽培，能使切花上市提前至3～4月间。
Qualcomm Technologies, Inc.副总裁Cormac Conroy博士表示：恩智浦的NFC和eSE芯片集使Qualcomm Technologies的平台功能得到了自然延伸，借助恩智浦的专业技术可实现安全交易。Qualcomm Technologies致力于提供业界领先的芯片技术，不仅推动当前最新设备的发展，还能促进实现未来的创新应用，同时缩小芯片尺寸。
我国铟市场的逐渐金融化是铟价的持续上行的主要原因。 中国有色金属工业协会铟铋锗分会副秘书长裴立双告诉。
这一切，或许就是它的底气所在。但是，对于一个自营式的卖场而言，其庞大的体系注定了灵活性远不及小商小贩。