新生儿缺血缺氧性脑病

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TUhjnbcbe - 2021/1/21 4:43:00

脑是人体内代谢最旺盛的器官,也是对氧供要求最高的器官。由于脑组织不能进行有效的无氧酵解,所以脑组织也是对缺氧最敏感的器官。许多脑部病变都伴有脑血供的改变,所以定量研究和评价脑组织灌注既可以作为病变诊断、鉴别诊断的依据,同时也是临床治疗方案、疗效判断和预后的重要依据。尽管可用于评价脑灌注的手段很多,但迄今为止基于动脉血自旋标记技术的ASL技术是最能和PET15O水相媲美的灌注评价手段。由于3DASL采用FSE信号读取方式,因而能有效克服EPI信号读取的磁敏感伪影,这也是确保其能实现真正全脑容积灌注的前提和保障。

下面介绍一下3DASL容积灌注成像临床应用。

1脑血管病变3DASL不仅能更敏感的发现早期脑缺血类病变,同时也能准确显示脑梗塞治疗过程中的再灌注。3DASL对血流速度非常敏感,不仅能反映灌注的结果,也能反映灌注的行为。

短暂性脑缺血发作:图1~2常规T2及弥散图像显示左基底节多个小腔隙灶,右基底节小腔隙灶;3DASLCBF灌注图上显示右大脑半球显示为低灌注区,3DTOF显示右颈内动脉明显狭窄,可见许多侧枝循环血管。该病例表明3DASL对灌注血管的流速敏感,因此能敏感发现供血血管异常及灌注代偿状态。

左基底区片状脑梗塞治疗三周后:常规T2及弥散图像显示左基底节区大片梗塞灶;3DASL灌注图显示相应区域为高灌注,提示梗塞后再灌注,为避免进一步溶栓治疗导致出血,此3DASL灌注结果提示应停止进一步溶栓治疗。

2颅内肿瘤病变肿瘤病变的对比剂增强扫描和灌注成像反映的是病变不同的病理改变。灌注成像能真正反映出肿瘤的新生血管,所以对肿瘤的分级、疗效评价、肿瘤复发或残存等有决定性意义。1)胶质瘤分级3DASL能准确评价胶质瘤的微循环灌注信息,因而能反映肿瘤病变的新生血管形成,据此可以更准确的评价胶质瘤分级。有些胶质瘤病变尽管在常规增强无强化,但在3DASL上表现为明显的高灌注,病理证实为高级别的胶质瘤。低级别的胶质瘤在3DASL上表现为低灌注。2)不同肿瘤病变的鉴别诊断依据很多肿瘤病变在常规增强扫描时具有相似的表现,如脑膜瘤和颅内脑外海绵状血管瘤都是脑外肿瘤,因为没有血脑屏障它们在常规增强扫描都可以表现为明显均一强化,但二者的灌注表现是不同的。脑膜瘤在灌注上是高灌注的,而颅内脑外海绵状血管瘤病理是扩大的血管腔隙,肿瘤缺乏新生血管,因而在灌注上表现为低灌注。

3)肿瘤和非肿瘤病变鉴别有些非肿瘤病变如瘤样脱髓鞘和胶质瘤很难鉴别;多发性硬化有时可以表现为多个类圆形病灶,此时和转移瘤不易鉴别。但在灌注上脱髓鞘病变和胶质瘤或转移瘤表现不同。脱髓鞘病变表现为低灌注的,而胶质瘤或转移瘤则可以表现为高灌注的。4)预后判断和疗效观察灌注成像能评价肿瘤的血供,这有助于判断肿瘤病变的生物学行为如生长快慢、侵袭性判断,同时病变的灌注信息也有助于临床医生在手术前制定正确的手术方案和风险防范。5)判断有无复发肿瘤病变如胶质瘤经治疗如放疗后病变可以发生机化等改变,此类改变在常规增强扫描可以表现为强化,此时和复发不易鉴别。灌注成像能反映有无新生血管形成。放疗后改变通常表现为低灌注的,而复发则可以表现为高灌注的。

胶质瘤:图1~3为平扫及增强扫描图像,显示病灶未见明确强化;图4为3DASL灌注图,显示病变主体呈明显的高灌注,而且整个左侧大脑半球的灌注水平高于右侧大脑半球;病理证实:胶质瘤WHO3级。

脑干肿瘤合并微量出血:图1图2为平扫图像显示脑干内异常信号病变,于T2像病变内可见低信号改变;图3为对比剂灌注成像显示相应病变区呈信号缺失,而图4为3DASL灌注成像显示相应病变呈高灌注改变;病理证实:脑干胶质瘤,WHO3级。

颅内脑外海绵状血管瘤:图1图2右颞部占位病变,增强扫描显示强化明显;图33DASL灌注图、图4对比剂灌注成像显示病变呈低灌注;病理证实:颅内脑外海绵状血管瘤。

富血供脑膜瘤:图1图2显示右顶部占位病变,增强扫描强化明显;图33DASL灌注图、图4对比剂灌注成像显示病变为高灌注;病理证实为:脑膜瘤,血供丰富。

3代谢性或炎性病变许多代谢性脑病或炎性病变如线粒体脑病、脑炎都会伴有脑灌注的改变,而且对于这些病变灌注的改变也往往是这些病变与其他病变的鉴别依据。

线粒体脑肌病:男孩,9岁,经常抽搐、活动后疲劳;图1T2像显示左侧顶枕叶可见片状稍高信号;图2示弥散像呈高信号改变,图3病变区波谱成像显示乳酸峰增高;图43DASL灌注图像显示病变呈明显高灌注改变。经肌肉活检证实为线粒体脑肌病。3DASL灌注不仅有助于排除脑缺血改变,同时也反映了线粒体脑肌病的脑部特征性改变。

病*性脑炎:男孩,11月,高热、抽搐;图1图2T2及DWI显示右颞叶片状高信号改变,但图3图43DASL灌注图上病变区呈相对高灌注,支持炎性病变改变;临床证实为:病*性脑炎。

来源:GE磁共振应用学院

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